HJ198N是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列厚膜集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度（通道绝缘电阻大于10¹⁰Ω）。电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~ +200℃，可与198HT1/198HT2/198HT3/198HT4互相代换。

HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列厚膜集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度（通道绝缘电阻大于10¹⁰Ω）。电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~ +200℃，可与198HT5/198HT6/198HT7/198HT8互相代换

HJ190KT2四路MOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围、漏电小、导通电阻低、上升时间小等特点，可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。

具体资料 www.hj-ic.cn  段先生